CJ302B 是一款内置 48mΩ MOSFET、过温/过放保护、单节锂电保护芯片。

型号
CJ302B
关键参数
内置 48mΩ MOSFET · 过温/过放保护 · 单节锂电保护芯片

主要特性

  • 内置 48mΩ MOSFET
  • SOT23-5 封装，外围仅需一个电阻和一个电容
  • 内置过温保护
  • 两重过放电流检测保护
  • 超小静态电流和休眠电流：静态 1.4μA / 休眠 0.3μA
  • 过充 4.30V / 解除 4.15V，过放 2.45V / 解除 3.00V，过流检测 3.8A
  • 符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品

典型应用

  • 单节锂离子可充电电池组
  • 单节锂聚合物可充电电池组

完整电气参数、引脚定义与典型应用电路请下载规格书查看。